Historia de las memorias

FPM-RAM

Fecha de introducción: 1990

Descripción: Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.

Velocidad: 200 MB/s

EDO-RAM

Fecha de introducción: 1994

Descripción: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).

Velocidad: 320 MB/s

BEDO-RAM

Fecha de introducción: 1997

Descripción: Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.

Velocidad: 533 MB/s hasta 1066 MB/s

SDR SDRAM

Fecha de introducción: 1997

Descripción: Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Velocidad: La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

DDR-SDRAM

Fecha de introducción: 1998.

Descripción: Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.

PC1600 – DDR200

Fecha de introducción: 2001

Velocidad: 1600 MB/s

PC2100 – DDR266

Fecha de introducción: 2002

Velocidad: 2133 MB/s

PC2100 – DDR266

Fecha de introducción: A mediados del 2003

Velocidad de transferencia

Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

PC3200 – DDR400

Fecha de introducción: Junio del 2004

Velocidad: Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

PC4200 – DDR533

Fecha de introducción: A mediados del 2004

Velocidad: Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.

PC4800 – DDR600

Fecha de introducción: A mediados del 2004

Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.

PC5300 – DDR667

Fecha de introducción: A finales del 2004

Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.

PC6400 – DDR800

Fecha de introducción: A finales del 2004

Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

DDR3 – 800

Fecha de introducción: Junio del 2004

Velocidad: Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

DDR3 – 1066

Fecha de introducción: Mayo del 2007

Velocidad: Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.

DDR3 – 1333

Fecha de introducción: Mayo de 2007

Velocidad: De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333 MHz

DDR3 – 1600

Fecha de introducción: Julio de 2007

Velocidad: 12.80 GB/s @ 1600 MHz

DDR3 – 1800

Fecha de introducción: Agosto de 2007

Velocidad: 14.40 GB/s @ 1800 MHz

DDR3 – 2000

Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas)

Velocidad: 16.0 GB/s @ 2000 MHz

RDRAM

Descripción: También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit

RAMBUS PC600

Fecha de introducción: 1999

Velocidad: 1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz

RAMBUS PC700

Fecha de introducción: 1999

Velocidad: 1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz

RAMBUS PC800

Fecha de introducción: 1999

Velocidad: 1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz

ESDRAM

Fecha de introducción: A mediados de año de 1999

Descripción: Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.

Velocidad: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz

Flash Memory

Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:

Fecha de introducción: Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.

Descripción: Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.